SJT 11226-2000 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管
|
ID： |
9397BCC05ABD4F9DAEA66D75CD2E92F5 |
|
文件大小(MB)： |
0.14 |
|
页数： |
10 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2009-6-12 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
ICS 31.080.30,L42,备案号:7559一2000,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 11226 2000,电子元器件详细规范,3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管,De tails pecificationf ore lectronicc omponents,Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor,2000-08-16发布2000-10-01实施,中华人民共和国信息产业部发布,前言,本规 范 是 按照GB/T 7576-1998《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管,第四篇高频放大管壳额定双极型品体管空白详细规范》(idt IEC 747-7-4: 1991)标准制,订的，符合GB/'r 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》( idt IEC,747-10: 1984)和GBa 12560-1999《半导体器件分立器件分规范)) (idt IEC 747-11:,1996)的11类要求,本 规 范 由信息产业部电子工业标准化研究所归口,本规 范 起 草单位:信息产业部电子工业标准化研究所,本 规 范 主要起草人:赵英、顾振球,中华人民共和国电子行业标准,电子 元 器件 详 细规范,3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管SJ/T 11226- 2000,De tails pecificationf ore lectronicc omponents,介pe 3DA505 L band silicon pulse power transistor,本 规范 适 用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GBIT7 576-1998《半,导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶,体管空白详细规范》标准制订的，符合GBrr 4589.1-1989《半导体器件分立器件和,集成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件分立器件分规范》的ii类要求,本 规范 引 用的标准有GB/T4 587-1994《半导体分立器件和集成电路第7部分双,极型晶体管N. GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》、GB/T,4937- 1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB 128A-97《半导体分立器件试,验方法》,中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布2000-10-01实施,一 t 一,SJ/T 11226- 2000,中华人民共和国信息产业部,评定电子元器件质量的依据:,GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总,规范》,GB/P 12560-1999《半导体器件分立器件分规范》,Si厅11226- 2000,3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管详细规范,订货资料:见本规范第7章,1. 机械说明2. 简要说明,外形图:,见 本 规 范1。之,引出端识别:,见 本 规 范10.2.,标志,见 本 规 范第6章.,L波段脉冲功率晶体管,晶体管:NPN,半导体材料:Si,封装:空腔,用途:雷达、航空管制,3. 质童评定类别,11类,参考数据,介 (L 2- 1.4)G Hz;,彻 脉冲 输 出功率):2 20W ;,如 Ell ): 10^-100;,Go :7 .4 d B.,按详细规范鉴定合格的器件其有关制造厂的资料，见合格产品一览表.,4 极限值(绝对最大额定值),除 非 另 有规定，这些极限值适用于整个f作温度范围,条号参数名称符号,数值,单位,最小值最大值,4.1,4.2,4.3,4.5,4.6,4.9 】,4.9.2,管壳温度,贮存温度,最高集电极一基极电压,最高发射极一基级反向电压,最大集电极电流,耗散功率”,最高有效结温,Tcau,Tstg,VCBO,VEBO,IC,Pco;,Tvi,-65 200,200,65,3,7.5,66,200,.C,.C,V,V,A,W,0C,注:I )降额曲线见功.1.,SJ/T 11226- 2000,5 电特性(检验要求见本规范第8章),条号,特 性 和 条 件,除非另有规定，Tease 25 0C,(见GB/T 4589.1第4章),符号,数值,单位,试验,最小值最大值分组,5.1,5.4.1,5.5.1,5石,5.7,5.8,5.11,正向电流传输比,VCE=S V, IC =3人,集成极一基极截止电流,VCB=40 V, IE =0,高温下集电极一基极截止电流,几mb=150 0C, VCB =40 V,最高集电级一发射极饱合电压,佗=3 A,伯二。3A,最低脉冲输出功率,最低功率增益,VCC=40 V,户(1.2--1.4) GHz,t, 1501is, o- 10%, P;=40 W,最低总效率,VCC =40 V,户(1.2-1.4) GHz,t, 150,ts, D=10i, P,=40 W,热阻,VCE=12V, TC=4A, tw3ims,25 0C< Tease < 70 -C,F21E(I),ICBOfI),ICBO(2),吮Esat,尸p,Gp,trt t,t,R(th)i,10,220,7.4,501,100,10,100,1.0,2.7,m A,tnA,V,W,dB,K/W,A26,Alb,C26,A3,Alb,A2b,Alb,C2d,6 标志,6.1 器件上应有如下标志:,— 引 出端识别标志(见10.2):,— 型 号名称、质量评定类别;,— 生 产厂所标志;,— 检 验批识别代码,6.2 在初始包装上的标……
……